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金融界2024年12月21日音讯，国度常识产权局信息深切，联华电子股份有限公司苦求一项名为“具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构过火制作才能”的专利，公开号CN 119153459 A，苦求日历为2023年7月。

专利纲目深切，本发明公开一种具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构过火制作才能，其中该具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构包含一基底，基底分为一高压晶体管区和一低压晶体管区，一深沟槽拓荒于高压晶体管区，其中深沟槽包含一第一沟槽和一第二沟槽，其中第一沟槽包含一第一底部，第二沟槽由第一底部驱动往基底的底部蔓延，一第一浅沟槽和一第二浅沟槽拓荒于低压晶体管区，其中第一浅沟槽的长度和第二沟槽的长度相似，一绝缘层分离填满第一沟槽、第二沟槽、第一浅沟槽和第二浅沟槽。

本文源自：金融界

作家：谍报员/阅读下一篇/复返网易首页下载网易新闻客户端开云·体育平台(kaiyun)(中国)官网入口登录