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快科技10月25日音尘kaiyun体育，据华中科技大学官微音尘，近日，该校武汉光电国度谈判中心团队，在国内领先攻克合成光刻胶所需的原料和配方，助推我国芯片制造关键原材料冲破瓶颈。

据先容，其研发的T150A光刻胶系列居品，已通过半导体工艺量产考证，兑现了原材料一说念国产，配方全自主贪图，有望首创国内半导体光刻制造新场面。

公开尊府透露，光刻胶是一种感光材料，用于芯片制造的光刻活动，使命旨趣访佛于摄影机的菲林曝光。芯片制造时，会在晶圆上涂上光刻胶，在掩膜版上绘图好电路图。

当色泽透过掩膜版映照到光刻胶上会发生曝光，过程一系列贬责后，晶圆上就会得到所需的电路图。

由于光刻胶是芯片制造的关键材料，外洋企业对其原料和配方高度守密，现在我国所使用的光刻胶九成以上依赖入口。

武汉光电国度谈判中心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。

相较于外洋同系列某居品，T150A在光刻工艺中施展出的极限分离率达到120nm，且工艺优容度更大、见识性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺施展更好，通过考证发现T150A中密集图形过程刻蚀，基层介质的侧壁垂直度施展优异。

团队认真东说念主暗意：“以光刻工夫的分子基础谈判和原材料的开采为起原，最终赢得具有自主常识产权的配方工夫，这仅仅个运转。咱们团队还会发展一系列期骗于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，勤奋于冲破外洋卡脖子关键工夫，为国内关联产业带来更多惊喜。”